حافظه HBM4E میکرون یک کریستال پایه قابل تنظیم دریافت خواهد کرد

فراخوان درآمد سه ماهه Micron Technology در هفته گذشته به مدیریت این شرکت آمریکایی اجازه داد تا برنامه های دقیق تری را برای توسعه طیف محصولات خود به اشتراک بگذارد. اگر میکرون تولید تراشه های حافظه HBM4 را در سال 2026 آغاز کند، بعداً تولید HBM4E را راه اندازی خواهد کرد که ویژگی اصلی آن یک کریستال پایه قابل تنظیم خواهد بود.

این قسمت از پشته حافظه در هسته خود قرار دارد و منطق اساسی لازم برای کار با تراشه های حافظه واقع در بالا را در خود دارد. Micron قرار است کریستال پایه HBM4E را با مجموعه ای از عملکردهایی که مورد علاقه مشتریان بزرگ خاص است ارائه دهد. نمی توان از قبل گفت که Micron در این زمینه چقدر آزادی خواهد داشت، اما بدیهی است که استانداردهای JEDEC چارچوبی را تعریف می کنند. از نقطه نظر فنی صرفاً، Micron می تواند پشتیبانی از رابط های جدید، افزایش اندازه حافظه پنهان، اضافه کردن رمزگذاری داده ها و غیره را اضافه کند.

همانطور که رئیس میکرون هفته گذشته تاکید کرد، “HBM4E با ارائه گزینه ای برای سفارشی کردن قالب منطقی زیربنایی برای مشتریان خاص با استفاده از یک فرآیند تولید پیشرفته، یک تغییر پارادایم در تجارت حافظه ایجاد می کند. TSMC”. به گفته مدیر عامل Sanjay Mehrotra، چنین قابلیت های سفارشی سازی عملکرد مالی Micron را بهبود می بخشد.

اگر به HBM4 نزدیک تر برگردیم، میکرون قصد دارد تراشه های حافظه را برای پشته هایی از این نوع با استفاده از فناوری پردازش نسل پنجم 10 نانومتری (1β) خود تولید کند، در حالی که رقبای SK hynix و سامسونگ به دنبال مدرن تر 10 نانومتری ششم هستند. نسل های تکنولوژی کلاس وجود یک گذرگاه 2048 بیتی به HBM4 اجازه می دهد تا نرخ انتقال اطلاعات تا 6.4 گیگا تراکنش در ثانیه را ارائه دهد. این شرکت انتظار دارد تولید انبوه HBM4 را در سال 2026 آغاز کند. به گفته مدیریت شرکت، Micron در حال حاضر فعالانه استک های 8 لایه HBM3E را برای شتاب دهنده های 12 لایه Nvidia عرضه می کند.